中欧第三代半导体高峰论坛在广东省深圳市举行,来自中国和欧洲从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术研究的200多位知名专家学者和产业界人士汇聚一堂,探讨第三代半导体材料的前沿技术和发展趋势。
国际权威信息技术研究与顾问咨询公司高德纳发布的最新预测报告显示,2017年全球半导体市场总营收将达到4111亿美元,较2016年增长19.7%。据统计,全球半导体市场总营收在2014年至2016年间,规模在3400亿美元左右。2017年因内存价格逐季大涨,带动半导体市场出现强劲增长。2018年半导体市场可望增长4%,达到4274亿美元规模,继续创新高。
记者从论坛上获悉,近年来,以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点,可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域,被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术,已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向。
多位出席论坛的专家表示,目前中国在第三代半导体材料研究上紧跟世界前沿,是为数不多的碳化硅材料衬底、材料外延产业化的国家。深圳青铜剑科技股份有限公司副总裁和巍巍表示,我国第三代半导体器件设计和制造工艺正向世界先进水平迈进,行业已迎来发展的春天。深圳市人大常委会副主任、深圳市科学技术协会主席蒋宇扬表示,广大科技企业与科技工作者要紧扣时代脉搏,进一步加大研发投入、加强国际合作,助力第三代半导体产业快速发展。
据BusinessKorea报道,三星电子今(6)日宣布,三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作,发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料,此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。 三星表示,SAIT最近一直在研究和开发二维(2D)材料——只有一层原子的晶体材料。具体来说,研究所一直致力于石墨烯的研究与开发,并在该领域取得了突破性的研究成果,如开发了一种新型石墨烯晶体管,以及一种生产大面积单晶片级石墨烯的新方法。除了研究和开发石墨烯,SAIT一直致力于加速这种材料的商业化。 该报道称,这种新发现的材料被称为非晶态氮化硼(a-BN),由硼和氮原子组成,为非晶态结构。非晶
“到2030年,第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行业,部分核心关键技术国际引领,核心环节有1至3家世界龙头企业,国产化率超过70%。”这是日前在京举办的第三代半导体战略发布会上,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲所描述的我国半导体产业未来的发展前景。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 据专家介绍,与第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同,我国在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿,工程技术水平和国际先进水平差距不大。当前,已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势的阶段,并且有机会实现超越。 因其有较好的应用前景和未来市场潜力
SK集团(SK Group)在接连购并OCI Materials与乐金Siltron(LG Siltron)之后,子公司SK Innovation也将发展半导体材料事业,加速以SK海力士(SK Hynix)为主轴的材料、零组件事业垂直整合。 据韩媒ET News报导,业界消息表示,SK Innovation以对SK海力士供应产品为目的,正从事光阻剂(Photoresist)研发。近期SK Innovation已将少量光阻剂样品交给SK海力士进行测试,后续经由意见回馈改善品质后,朝向量产目标迈进。 光阻剂用在硅晶圆的曝光制程,与通过光罩的光作用形成电路图形。曝光设备与材料依照曝光波长分为G-line、I-line、KrF、A
日前,中欧第三代 半导体 高峰论坛在广东省深圳市举行,来自中国和欧洲从事碳化硅、氮化镓等第三代 半导体 技术研究的200多位知名专家学者和产业界人士汇聚一堂,探讨第三代 半导体 材料的前沿技术和发展趋势。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 国际权威信息技术研究与顾问咨询公司高德纳发布的最新预测报告显示,2017年全球半导体市场总营收将达到4111亿美元,较2016年增长19.7%。据统计,全球半导体市场总营收在2014年至2016年间,规模在3400亿美元左右。2017年因内存价格逐季大涨,带动半导体市场出现强劲增长。2018年半导体市场可望增长4%,达到4274亿美元规模,继续创新高。 记者从论坛上获悉
2月2日,“2018中国半导体材料及设备产业发展大会”在京召开。本次大会由中国电子信息产业发展研究院主办、邳州市政府协办,旨在通过梳理半导体产业的发展方向、推介半导体材料及设备产业的创新理念,共同促进半导体产业生态环境的构建,推动我国集成电路产业的健康发展。中国电子信息产业发展研究院总工程师乌宝贵、江苏省邳州市委书记陈静出席会议并发表致辞。中国半导体行业协会副理事长于燮康、中科院微电子研究所副总工程师赵超等行业专家与企业嘉宾发表演讲。 乌宝贵表示,半导体设备和材料作为整个产业链的上游环节,对整个行业的发展都起着至关重要的支撑作用。在半导体行业中有一种说法,叫做“一代器件、一代工艺、一代材料与设备”。特别是当整个行业进入
这几天, 西班牙的巴塞罗那是全球移动通信焦点,几乎所有移动通信领域最新干货都在这里。2月26日,华为在巴塞罗那发布了全球首款5G商用芯片—巴龙Balong5G01,率先突破了5G终端芯片的商用瓶颈, 抢在了苹果、高通之前。华为消费业务负责人余承东透露,华为首款5G商用智能手机将在2019年第四季度上市。 巴龙5G01芯片发布后,华为成为全球首个具备5G芯片-终端-网络能力、可以为客户提供端到端5G解决方案的公司。巴龙5G01的问世,突破了哪些关键技术,对于全球5G终端芯片的发展、对于全球5G商用的推动、对于中国集成电路的发展有哪些突破意义? 据介绍,Balong 5G01是全球第一款商用的、基于3GPP标准的5G芯片,它支
德国默克(Merck)积极跨入半导体领域,亚洲布局以台湾为中心,正式在高雄成立亚洲地区集成电路材料应用研究与开发中心,锁定薄膜制程CVD/ALD材料和用于后段封装连接和黏晶的导电胶(conductive pastes),估计投资金额超过280万欧元(约新台币1亿元),同时该研发中心会与默克全球的研发部门全面整合。 默克在台湾成立亚洲区集成电路材料应用研究与开发中心,是默克在台设立的第二个区域研发中心,公司于2013年在桃园的观音工业园区成立先进技术应用研发中心,与客户协作开展最新的显示和OLED、LED、柔性显示材料等材料。 默克在台湾成立的亚洲区集成电路材料应用研发中心设有两个独立的实验室。第一是前段原子层沉积(ALD)
10月8日,工信部发布“关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函”。 根据答复函,在制定工业半导体芯片发展战略规划、出台扶持技术攻关及产业发展政策方面,工信部及相关部门将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展,根据产业发展形势,调整完善政策实施细则,更好的支持产业发展。通过行业协会等加大产业链合作力度,深入推进产学研用协同,促进我国工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业的技术迭代和应用推广。 在推动我国工业半导体芯片材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展方面,工信部和相关部门将通过引导国内企业、研究机构等加强与先进发达国家产学研机构的战略合作,进一步鼓励我国企业引
、芯片、器件和IGBT模块产业 /
模拟电子技术 第2版 ((美)Robert L.Boylestad,(美)Louis Nashelsky著)
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